中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
上升時間:4 ns
功率耗散:1900 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.6 mOhms
漏極連續電流:15 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC8017-H(TE12LQM)的詳細信息,包括TPC8017-H(TE12LQM)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!