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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):150 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):1.6V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):6 歐姆 @ 500mA,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):250mA(Tj)
漏源電壓(Vdss):200 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:帶盒(TB)
品牌:Microchip Technology
以上是TN0620N3-G-P014的詳細(xì)信息,包括TN0620N3-G-P014廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!