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TN0200TS

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3
數量：: 198
說明：: MOSFET 20V 1.2A 1W

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TN0200TS PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：14 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：14 ns
封裝形式：TO-236-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：400 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：1.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是TN0200TS的詳細信息，包括TN0200TS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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