中文參數如下:
典型關閉延遲時間:21 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:24 ns
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:106 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0064 Ohms
漏極連續電流:70 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK70A06J1(Q)的詳細信息,包括TK70A06J1(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!