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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:100 ns
上升時間:40 ns
功率耗散:45 W
柵極電荷 Qg:27 nC
下降時間:12 ns
封裝形式:SC-67
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.19 Ohms
漏極連續電流:20 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK20A60U(STA4,Q,M)的詳細信息,包括TK20A60U(STA4,Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!