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STS8C5H30L

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 8-SOIC
數量：
 4293  
說明：
 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
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STS8C5H30L-8-SOIC圖片

STS8C5H30L PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：23 ns, 125 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：14.5 ns, 35 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：8.5 S, 10 S
下降時間：8 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.022 Ohms
漏極連續電流：8 A, - 5.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS8C5H30L的詳細信息，包括STS8C5H30L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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