中文參數如下:
典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:2.8 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:17 ns
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.1 Ohms
漏極連續電流:5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STS5NS150的詳細信息,包括STS5NS150廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!