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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:62 ns
上升時間:19 ns
功率耗散:90 W
柵極電荷 Qg:50 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.5 V
下降時間:52 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.158 Ohms
漏極連續電流:21 A
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP28NM50N的詳細信息,包括STP28NM50N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!