
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
上升時間:16.5 ns
功率耗散:120 W
柵極電荷 Qg:46 nC
下降時間:37 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.168 Ohms
漏極連續電流:17 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP24NM60N的詳細信息,包括STP24NM60N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!