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中文參數如下:
上升時間:97.1 ns
功率耗散:315 W
柵極電荷 Qg:114.6 nC
下降時間:6.9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.5 mOhms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP180N10F3的詳細信息,包括STP180N10F3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!