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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:8-PowerVDFN
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:62.5W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):408pF @ 50V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):67 毫歐 @ 2.5A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A
漏源電壓(Vdss):100V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(雙)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:DeepGATE?, STripFET? VII
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:STMicroelectronics
以上是STL20DN10F7的詳細信息,包括STL20DN10F7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!