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中文參數如下:
上升時間:31.6 ns
功率耗散:60 W
柵極電荷 Qg:26.5 nC
下降時間:16 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerFLAT 5x6
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0022 Ohms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STL100N1VH5的詳細信息,包括STL100N1VH5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!