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中文參數如下:
安裝風格:Through Hole
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
功率耗散:56 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
在25 C的連續集電極電流:14 A
柵極/發射極最大電壓:20 V
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics
以上是STGPL6NC60DI的詳細信息,包括STGPL6NC60DI廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!