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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
上升時間:8 ns
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.92 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STD6NM60N-1的詳細信息,包括STD6NM60N-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!