
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
典型關閉延遲時間:35 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:80 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:32 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.5 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STD4NK80Z-1的詳細信息,包括STD4NK80Z-1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!