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STB18N55M5

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 1881  
說明：
 MOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm Mdmesh V 13A
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STB18N55M5-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB18N55M5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：9.5 ns
功率耗散：90 W
柵極電荷 Qg：31 nC
下降時(shí)間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：13 A
閘/源擊穿電壓：25 V
汲極/源極擊穿電壓：550 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB18N55M5的詳細(xì)信息，包括STB18N55M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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