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中文參數如下:
FET 型2 個 P 溝道(雙)
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 歐姆 @ 10mA, 4V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1.7V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C100mA
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 9.1pF @ 3V
功率 - 最大150mW
安裝類型表面貼裝
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