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中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
功率耗散:300 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:ES-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):450 mOhms
漏極連續電流:0.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是SSM6J07FUTE85LF的詳細信息,包括SSM6J07FUTE85LF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!