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SQJ960EP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK SO-8L Dual
數量:
 8811  
說明:
 MOSFET 60V 8A 34W
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SQJ960EP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SQJ960EP-GE3
典型關閉延遲時間:19 ns
上升時間:8 ns
功率耗散:34 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:13 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降時間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8L Dual
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual
漏極連續電流:8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ960EP-T1-GE3的詳細信息,包括SQJ960EP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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