SPW11N60C3FKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-3-1
數(shù)量：: 3456
說明：: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3

一、本商品被瀏覽0次.

SPW11N60C3FKSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：380 毫歐 @ 7A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：CoolMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是SPW11N60C3FKSA1的詳細(xì)信息，包括SPW11N60C3FKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：