SPD30P06PGBTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 29443
說明：: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

一、本商品被瀏覽0次.

SPD30P06PGBTMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1535 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.7mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 21.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：在售
包裝：SIPMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是SPD30P06PGBTMA1的詳細信息，包括SPD30P06PGBTMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：