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SPD30N03S2L10T

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO252-3-11
數(shù)量：
 1287  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
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SPD30N03S2L10T-PG-TO252-3-11圖片

SPD30N03S2L10T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs41.8nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1550pF @ 25V
功率 - 最大100W
安裝類型表面貼裝

以上是SPD30N03S2L10T的詳細信息，包括SPD30N03S2L10T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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