SIJ484DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 873
說明：: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L

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SIJ484DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.3 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：35A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1600pF @ 15V
功率 - 最大：27.7W
安裝類型：表面貼裝

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