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SIHW30N60E-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-3P-3 整包
數量：
 5487  
說明：
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHW30N60E-GE3-TO-3P-3 整包圖片

SIHW30N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：95 ns
商標名：E-Series
上升時間：65 ns
功率耗散：250 W
柵極電荷 Qg：130 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：5.4 S
下降時間：75 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247AD
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：125 mOhms at 10 V
漏極連續電流：29 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHW30N60E-GE3的詳細信息，包括SIHW30N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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