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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：100
上升時間：12 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.25 Ohms
漏極連續電流：2.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay
以上是SI9953DY的詳細信息，包括SI9953DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
