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中文參數如下:
功率耗散:0.9 W
柵極電荷 Qg:6.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :8 S
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.056 Ohms
漏極連續電流:- 3.1 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:- 8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8805EDB-T2-E1的詳細信息,包括SI8805EDB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!