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SI8422DB-T1-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 
數(shù)量：
 1638  
說明：
 MOSFET 20V 7.3A 2.77W
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SI8422DB-T1-E1-圖片

SI8422DB-T1-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI8422DB-E1
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：145 ns
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：12 S
下降時(shí)間：75 ns
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.035 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.3 A
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8422DB-T1-E1的詳細(xì)信息，包括SI8422DB-T1-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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