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中文參數如下:
零件號別名:SI8419DB-E1
典型關閉延遲時間:260 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:25 ns
功率耗散:2.77 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:155 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.035 Ohms
漏極連續電流:7.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓:- 8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8419DB-T1-E1的詳細信息,包括SI8419DB-T1-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!