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SI6562CDQ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP
數量：: 6498
說明：: MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

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SI6562CDQ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI6562CDQ-GE3
典型關閉延遲時間：25 nS, 45 nS
工廠包裝數量：3000
上升時間：10 nS, 25 nS
功率耗散：1.1 W, 1.2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 nS, 25 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：22 mOhms at 4.5 V at N Channel, 30 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏極連續電流：5.7 A, - 5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6562CDQ-T1-GE3的詳細信息，包括SI6562CDQ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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