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SI5920DC-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 1206-8 ChipFET?
數量：
 6228  
說明：
 MOSFET N-CH 8V 1206-8
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SI5920DC-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：32 毫歐 @ 6.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：8V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：4A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：680pF @ 4V
功率 - 最大：3.12W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI5920DC-T1-GE3的詳細信息，包括SI5920DC-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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