三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數量：: 5085
說明：: MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI5855CDC-T1-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI5855CDC-E3
典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：34 ns
功率耗散：1900 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：34 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：144 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：2.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5855CDC-T1-E3的詳細信息，包括SI5855CDC-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：