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SI5429DU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK ChipFET
數(shù)量：: 5299
說明：: MOSFET -30V 15mOhm@10V 12A P-Ch G-III

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SI5429DU-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5429DU-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：60 ns
上升時間：50 ns
功率耗散：31 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：25 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：15 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：- 12 A
閘/源擊穿電壓：- 2.2 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5429DU-T1-GE3的詳細信息，包括SI5429DU-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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