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SI4830CDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 3789
說明：: MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

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SI4830CDY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4830CDY-GE3
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：16.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：29 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4830CDY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4830CDY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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