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中文參數(shù)如下:
典型關閉延遲時間:52 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時間:11 ns
功率耗散:2.3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):35 mOhms, 1.3 Ohms
漏極連續(xù)電流:6 A, 0.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI4807DY的詳細信息,包括SI4807DY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!