SI4686DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 6539
說明：: MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI4686DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4686DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：20 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：13.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4686DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4686DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：