SI4618DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 1116
說明：: MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

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SI4618DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4618DY-GE3
功率耗散：1.38 W, 2.35 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：29 nC, 39 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：40 S, 47 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：17 mOhms, 10 mOhms
漏極連續電流：6.7 A, 11.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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