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SI4196DY-T1-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數量：
 5211  
說明：
 MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
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SI4196DY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4196DY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫歐 @ 8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 8V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：830pF @ 10V
功率 - 最大：4.6W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4196DY-T1-E3的詳細信息，包括SI4196DY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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