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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:280 毫歐 @ 1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):8V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:860mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:290mW
安裝類型:表面貼裝
以上是SI1305DL-T1-GE3的詳細信息,包括SI1305DL-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!