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中文參數(shù)如下:
功率耗散:2 W
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3.5 S
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):60 mOhms
漏極連續(xù)電流:4.5 A
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是SH8J62TB1的詳細信息,包括SH8J62TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!