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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:X2-DFN1006-3
封裝/外殼:3-XFDFN
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:3.3pF @ 5V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:400 μA @ 30 V
反向恢復時間 (trr):2 ns
速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):700 mV @ 100 mA
電流 - 平均整流 (Io):200mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
技術:肖特基
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Diodes Incorporated
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