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中文參數如下:
功率耗散:217 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Bulk
封裝形式:M246
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
漏極連續電流:14 A
汲極/源極擊穿電壓:72 V
輸出功率:100 W
增益:14 dB at 860 MHz
頻率:1 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:STMicroelectronics
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