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中文參數如下:
功率耗散:1 W
柵極電荷 Qg:6.2 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:TSMT3
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):48 mOhms
漏極連續電流:3 A
汲極/源極擊穿電壓:45 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RTR030N05TL的詳細信息,包括RTR030N05TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!