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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1360pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝
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