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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:128 ns
功率耗散:20 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:CPT3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):52 mOhms
漏極連續電流:20 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RSD200N10TL的詳細信息,包括RSD200N10TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!