RS1FLM-M3/I

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: DO-219AB（SMF）
數(shù)量：: 2970
說(shuō)明：: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO219AB

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RS1FLM-M3/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：DO-219AB（SMF）
封裝/外殼：DO-219AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：7pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：5 μA @ 1000 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：500 ns
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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