
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
波長:950 nm
槽寬:2 mm
感應方式:Transmissive, Slotted
上升時間:10 us
功率耗散:80 mW
包裝形式:Bulk
輸出設備:Phototransistor
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 25 C
最大工作溫度:+ 85 C
最大集電極電流:30 mA
正向電流:50 mA
下降時間:10 us
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
光圈寬度:0.4 mm
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RPI-221的詳細信息,包括RPI-221廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!