RFD8P06ESM9A

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2781
說(shuō)明：: MOSFET -60V Single

一、本商品被瀏覽0次.

RFD8P06ESM9A PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：48 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RFD8P06ESM9A的詳細(xì)信息，包括RFD8P06ESM9A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：