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RD3G500GNTL

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 TO-252
數(shù)量：
 243  
說明：
 MOSFET N-CH 40V 50A TO252
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RD3G500GNTL-TO-252圖片

RD3G500GNTL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：35W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：22800 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.9 毫歐 @ 50A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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