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R8008ANX

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220-3 整包
數量：: 8667
說明：: MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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R8008ANX PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：85 ns
上升時間：50 ns
功率耗散：50 W
柵極電荷 Qg：39 nC
下降時間：30 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.03 Ohms
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R8008ANX的詳細信息，包括R8008ANX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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