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R6046FNZC8

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TO-3P-3 整包
數量:
 8838  
說明:
 MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
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R6046FNZC8-TO-3P-3 整包圖片

R6046FNZC8 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:230 ns
上升時間:150 ns
功率耗散:120 W
柵極電荷 Qg:150 nC
下降時間:80 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3PF
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):93 mOhms
漏極連續電流:46 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor

以上是R6046FNZC8的詳細信息,包括R6046FNZC8廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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